Winbond Electronics - W947D6HBHX6E TR

KEY Part #: K942564

Yksityiskohtainen kuvaus:: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 128M mDDR, x16, 166MHz, 65nm T&R

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Logiikka - vertailijat, Logiikka - Pariteettigeneraattorit ja Tammi, PMIC - Jännitteensäätimet - erityistarkoitus, IC-sirut, Liitäntä - moduulit, Logiikka - FIFOs-muisti, Kello / ajoitus - viivejohdot and Liitäntä - I / O-laajennukset ...

Kilpailuetu:: We specialize in Winbond Electronics W947D6HBHX6E TR electronic components. W947D6HBHX6E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W947D6HBHX6E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : W947D6HBHX6E TR

Valmistaja : Winbond Electronics

Kuvaus : IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Sarja : -

Osan tila : Active

Muistityyppi : Volatile

Muistimuoto : DRAM

tekniikka : SDRAM - Mobile LPDDR

Muistin koko : 128Mb (8M x 16)

Kellotaajuus : 166MHz

Kirjoita työkierron aika - sana, sivu : 15ns

Kirjautumisaika : 5ns

Muistiliitäntä : Parallel

Jännite - syöttö : 1.7V ~ 1.95V

Käyttölämpötila : -25°C ~ 85°C (TC)

Asennustyyppi : Surface Mount

Paketti / asia : 60-TFBGA

Toimittajalaitteen paketti : 60-VFBGA (8x9)

Saatat myös olla kiinnostunut

IS25WP064A-JKLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS
IS25WP032A-JKLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 32M SPI 133MHZ WSON. NOR Flash 32Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS, T&R
25LC512-E/MF

Microchip Technology

IC EEPROM 512K SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 512k 64KX8 2.5V SER EE EXT
602-10001

Parallax Inc.

IC EEPROM 512K I2C 1MHZ.
W25Q128FWSIG

Winbond Electronics

IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC. NOR Flash spiFlash, 128M-bit, 4Kb Uniform Sector
IS25WP032A-JBLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP.