Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Integroidut piirit (IC)
  4. Muisti
  5. W947D2HBJX5E

Winbond Electronics - W947D2HBJX5E

KEY Part #: K942116

W947D2HBJX5E Hinnoittelu (USD) [42953kpl varastossa]

  • 1 pcs$1.20813
  • 240 pcs$1.20212
Osa numero:
W947D2HBJX5E
Valmistaja:
Winbond Electronics
Yksityiskohtainen kuvaus:
IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA. DRAM 128M mDDR, x32, 200MHz
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Liitäntä - Analogiset kytkimet, Multiplekserit, De, IC-sirut, PMIC - Hot Swap -ohjaimet, Lineaariset - komparaattorit, Logiikka - puskurit, ajurit, vastaanottimet, lähet, Audio-erityistarkoitus, PMIC - Voltage Regulators - Linear + Switching and Kello / ajoitus - kellon puskurit, ajurit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Winbond Electronics W947D2HBJX5E electronic components. W947D2HBJX5E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W947D2HBJX5E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W947D2HBJX5E Tuoteominaisuudet

Osa numero : W947D2HBJX5E
Valmistaja : Winbond Electronics
Kuvaus : IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Sarja : -
Osan tila : Active
Muistityyppi : Volatile
Muistimuoto : DRAM
tekniikka : SDRAM - Mobile LPDDR
Muistin koko : 128Mb (4M x 32)
Kellotaajuus : 200MHz
Kirjoita työkierron aika - sana, sivu : 15ns
Kirjautumisaika : 5ns
Muistiliitäntä : Parallel
Jännite - syöttö : 1.7V ~ 1.95V
Käyttölämpötila : -25°C ~ 85°C (TC)
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : 90-TFBGA
Toimittajalaitteen paketti : 90-VFBGA (8x13)

Uusimmat uutiset

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Saatat myös olla kiinnostunut
  • IS25WP032A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ WSON. NOR Flash 32Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • W25Q128FWEIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON.

  • FM25CL64B-DGTR

    Cypress Semiconductor Corp

    IC FRAM 64K SPI 20MHZ 8TDFN. F-RAM 64Kb Serial SPI 3V FRAM

  • MT25QL128ABA1EW7-0SIT

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WPDFN. NOR Flash SERIAL NOR SLC 32MX4 WPDFN

  • M24256-BRDW6P

    STMicroelectronics

    IC EEPROM 256K I2C 1MHZ 8TSSOP. EEPROM 512Kbit and 256Kbit EEPROM

  • SST26VF064B-104I/SM

    Microchip Technology

    IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8SOIJ. NOR Flash 64Mb 2.7-3.6V SQI Flash Memory

Kuumat osat