Valmistaja :
Rohm Semiconductor
Kuvaus :
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Osan tila :
Not For New Designs
Transistorin tyyppi :
NPN - Pre-Biased
Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) :
200mA
Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) :
30V
Vastus - Base (R1) :
4.7 kOhms
Vastus - Emitter Base (R2) :
10 kOhms
DC-virran voimakkuus (hFE) (min) @ Ic, Vce :
140 @ 100mA, 2V
Vce-kylläisyys (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 2.5mA, 50mA
Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) :
500nA
Taajuus - siirtymä :
260MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
VMT3