Microsemi Corporation - APT18M80B

KEY Part #: K6395050

APT18M80B Hinnoittelu (USD) [10686kpl varastossa]

  • 1 pcs$4.23953
  • 10 pcs$3.81602
  • 100 pcs$3.13765
  • 500 pcs$2.62883

Osa numero:
APT18M80B
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 800V 19A TO-247.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - JFET, Transistorit - IGBT - Yksittäiset and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation APT18M80B electronic components. APT18M80B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT18M80B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT18M80B Tuoteominaisuudet

Osa numero : APT18M80B
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : MOSFET N-CH 800V 19A TO-247
Sarja : POWER MOS 8™
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 800V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 19A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 530 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 3760pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 500W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-247 [B]
Paketti / asia : TO-247-3