Taiwan Semiconductor Corporation - UF1JHR1G

KEY Part #: K6430758

UF1JHR1G Hinnoittelu (USD) [1461272kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.02531

Osa numero:
UF1JHR1G
Valmistaja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single and Diodit - Zener - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation UF1JHR1G electronic components. UF1JHR1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UF1JHR1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UF1JHR1G Tuoteominaisuudet

Osa numero : UF1JHR1G
Valmistaja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 1A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 75ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F : 17pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : DO-204AL, DO-41, Axial
Toimittajalaitteen paketti : DO-204AL (DO-41)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • SR10200-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers VR=200V, IO=10A

  • SR10150-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 150V 10A ITO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers VR=150V, IO=10A

  • V10P45HM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers TMBS TO-277A 10A AEC-Q101 Qualified

  • AS4PKHM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 800V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A,800V, SMPC,STD, Avalanche SM

  • VS-6ESU06-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A. Rectifiers Ultrafst Rct 6A 600V

  • SS10P5-M3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 50V 7A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10 Amp 50 Volt 280 Amp IFSM