Vishay Semiconductor Diodes Division - IMBD4148-E3-18

KEY Part #: K6454606

IMBD4148-E3-18 Hinnoittelu (USD) [2995561kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.01235
  • 10,000 pcs$0.01163
  • 30,000 pcs$0.01046
  • 50,000 pcs$0.00930
  • 100,000 pcs$0.00872
  • 250,000 pcs$0.00775

Osa numero:
IMBD4148-E3-18
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100V 150mA 4ns 500mA IFSM
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - erityistarkoitus, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - IGBT - Arrays and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division IMBD4148-E3-18 electronic components. IMBD4148-E3-18 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IMBD4148-E3-18, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IMBD4148-E3-18 Tuoteominaisuudet

Osa numero : IMBD4148-E3-18
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 75V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 150mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1V @ 10mA
Nopeus : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr) : 4ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 2.5µA @ 70V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajalaitteen paketti : SOT-23
Käyttölämpötila - liitos : 150°C (Max)

Saatat myös olla kiinnostunut
  • C4D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A

  • 1N4150W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns

  • SE20FGHM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT

  • ES07B-GS18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM

  • BYM10-200-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated

  • BYM10-400-E3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated