Infineon Technologies - IRF6646TRPBF

KEY Part #: K6393570

IRF6646TRPBF Hinnoittelu (USD) [86334kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.45516
  • 4,800 pcs$0.45290

Osa numero:
IRF6646TRPBF
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - JFET, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies IRF6646TRPBF electronic components. IRF6646TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF6646TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6646TRPBF Tuoteominaisuudet

Osa numero : IRF6646TRPBF
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Sarja : HEXFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 80V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta), 68A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.9V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2060pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Käyttölämpötila : -40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : DIRECTFET™ MN
Paketti / asia : DirectFET™ Isometric MN