Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot
  5. CDBGBSC201200-G

Comchip Technology - CDBGBSC201200-G

KEY Part #: K6470411

CDBGBSC201200-G Hinnoittelu (USD) [6888kpl varastossa]

  • 1 pcs$5.98205
Osa numero:
CDBGBSC201200-G
Valmistaja:
Comchip Technology
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER. Schottky Diodes & Rectifiers DUAL SiC POWER SCHOTTKY 20A 1200V
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - erityistarkoitus, Tiristorit - SCR: t, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Diodit - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Comchip Technology CDBGBSC201200-G electronic components. CDBGBSC201200-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBGBSC201200-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CDBGBSC201200-G Tuoteominaisuudet

Osa numero : CDBGBSC201200-G
Valmistaja : Comchip Technology
Kuvaus : DIODE DUAL SILICON CARBIDE POWER
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin konfigurointi : 1 Pair Common Cathode
Diodin tyyppi : Silicon Carbide Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 1200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) (diodia kohti) : 25.9A (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.8V @ 10A
Nopeus : No Recovery Time > 500mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 0ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 100µA @ 1200V
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 175°C
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : TO-247-3
Toimittajalaitteen paketti : TO-247

Uusimmat uutiset

Comchip Technology CGRTS General Purpose Rectifiers
Comchip Technology ACZRT55C-G Automotive Zener Diodes
Saatat myös olla kiinnostunut
  • MBR20100CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220.

  • MBR2040CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 40V, 20A

  • MBR20150CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220. Schottky Diodes & Rectifiers SCHOTTKY RECT 20A 150V

  • MBR2030CT-G

    Comchip Technology

    DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V TO220AB. Schottky Diodes & Rectifiers 30V, 20A

  • 1SS309(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SMV. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode 85V, 200mW

  • 1SS308(TE85L,F

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74A. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching High-Speed Diode

Kuumat osat