Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
6.9A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
19 mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
450mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
32nC @ 4.5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
3200pF @ 10V
Tehon hajautus (max) :
1.38W (Tj)
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
8-SOIC
Paketti / asia :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)