Toshiba Semiconductor and Storage - TK46A08N1,S4X

KEY Part #: K6393035

TK46A08N1,S4X Hinnoittelu (USD) [65859kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.65642

Osa numero:
TK46A08N1,S4X
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 80V 46A TO-220.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - erityistarkoitus, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF and Transistorit - IGBT - Yksittäiset ...
Kilpailuetu:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK46A08N1,S4X electronic components. TK46A08N1,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK46A08N1,S4X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK46A08N1,S4X Tuoteominaisuudet

Osa numero : TK46A08N1,S4X
Valmistaja : Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus : MOSFET N-CH 80V 46A TO-220
Sarja : U-MOSVIII-H
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 80V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 46A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.4 mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2500pF @ 40V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 35W (Tc)
Käyttölämpötila : 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-220SIS
Paketti / asia : TO-220-3 Full Pack

Saatat myös olla kiinnostunut