Rohm Semiconductor - RB162LAM-60TR

KEY Part #: K6458017

RB162LAM-60TR Hinnoittelu (USD) [808518kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.05057
  • 3,000 pcs$0.05032
  • 6,000 pcs$0.04727
  • 15,000 pcs$0.04422
  • 30,000 pcs$0.04056

Osa numero:
RB162LAM-60TR
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDTM. Schottky Diodes & Rectifiers 60V Vr 0.1mA IR Schottky Br Diode
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - Zener - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot and Tiristorit - TRIACit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Rohm Semiconductor RB162LAM-60TR electronic components. RB162LAM-60TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RB162LAM-60TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RB162LAM-60TR Tuoteominaisuudet

Osa numero : RB162LAM-60TR
Valmistaja : Rohm Semiconductor
Kuvaus : DIODE SCHOTTKY 60V 1A PMDTM
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 60V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 650mV @ 1A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 100µA @ 60V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : SOD-128
Toimittajalaitteen paketti : PMDTM
Käyttölämpötila - liitos : 150°C (Max)

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BYM07-150HE3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified

  • BYM07-400-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns

  • GL34B-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34G-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34D-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM