Valmistaja :
GeneSiC Semiconductor
Kuvaus :
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB
Diodin tyyppi :
Single Phase
Jännite - Peak Reverse (Max) :
1kV
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
10µA @ 1000V
Käyttölämpötila :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
4-EDIP (0.321", 8.15mm)
Toimittajalaitteen paketti :
DB