Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
IC DRIVER GATE HALF BRIDGE 8SOIC
Ohjattu kokoonpano :
Half-Bridge
Kanavan tyyppi :
Independent
Porttityyppi :
IGBT, N-Channel MOSFET
Jännite - syöttö :
10V ~ 20V
Looginen jännite - VIL, VIH :
0.8V, 2.5V
Nykyinen - huipputeho (lähde, pesu) :
90mA, 180mA
Syötteen tyyppi :
Non-Inverting
Korkea puolijännite - maks. (Bootstrap) :
600V
Nousua / laskuaika (tyyppi) :
230ns, 90ns
Käyttölämpötila :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajalaitteen paketti :
8-SOIC