Osa numero :
GB01SLT12-220
Valmistaja :
GeneSiC Semiconductor
Kuvaus :
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 1A TO220AC
Diodin tyyppi :
Silicon Carbide Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
1200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.8V @ 1A
Nopeus :
No Recovery Time > 500mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
0ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
2µA @ 1200V
Kapasitanssi @ Vr, F :
69pF @ 1V, 1MHz
Asennustyyppi :
Through Hole
Paketti / asia :
TO-220-2
Toimittajalaitteen paketti :
TO-220AC
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 175°C