Infineon Technologies - 6PS18012E4FG38393NWSA1

KEY Part #: K6532666

6PS18012E4FG38393NWSA1 Hinnoittelu (USD) [5kpl varastossa]

  • 1 pcs$5719.49319

Osa numero:
6PS18012E4FG38393NWSA1
Valmistaja:
Infineon Technologies
Yksityiskohtainen kuvaus:
MODULE IGBT STACK A-PSF-1.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Arrays, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tiristorit - TRIACit, Diodit - Zener - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single and Tiristorit - SCR: t ...
Kilpailuetu:
We specialize in Infineon Technologies 6PS18012E4FG38393NWSA1 electronic components. 6PS18012E4FG38393NWSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 6PS18012E4FG38393NWSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

6PS18012E4FG38393NWSA1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : 6PS18012E4FG38393NWSA1
Valmistaja : Infineon Technologies
Kuvaus : MODULE IGBT STACK A-PSF-1
Sarja : *
Osan tila : Active
IGBT-tyyppi : Trench Field Stop
kokoonpano : Three Phase Inverter
Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) : 1200V
Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) : -
Teho - Max : -
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic : -
Nykyinen - Keräilijän katkaisu (max) : -
Syöttökapasiteetti (Cies) @ Vce : -
panos : Standard
NTC-termistori : Yes
Käyttölämpötila : 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Chassis Mount
Paketti / asia : Module
Toimittajalaitteen paketti : Module

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-ETF150Y65N

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 650V 150A EMIPAK-2B.

  • CPV363M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6A IMS-2.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • A2C25S12M3-F

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.