Taiwan Semiconductor Corporation - SFAS808GHMNG

KEY Part #: K6428617

SFAS808GHMNG Hinnoittelu (USD) [308600kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.11986

Osa numero:
SFAS808GHMNG
Valmistaja:
Taiwan Semiconductor Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Rectifiers 35ns8A 600V Sp Fst Recov Rectifier
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF and Tiristorit - SCR-moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation SFAS808GHMNG electronic components. SFAS808GHMNG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SFAS808GHMNG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SFAS808GHMNG Tuoteominaisuudet

Osa numero : SFAS808GHMNG
Valmistaja : Taiwan Semiconductor Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 8A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 8A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 35ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajalaitteen paketti : TO-263AB (D²PAK)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • CDSV-20-G

    Comchip Technology

    DIODE GEN PURP 150V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 150V 200mA 200mW

  • CDBV140-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=40V IO=1A

  • VS-2EJH01-M3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rectfr

  • VS-3EJH02HM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rfr AEC-Q101

  • VS-2EJH01HM3/6A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101

  • VS-3EJH02-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rectfr