Nexperia USA Inc. - PSMN0R9-25YLDX

KEY Part #: K6400754

PSMN0R9-25YLDX Hinnoittelu (USD) [118378kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.31245
  • 1,500 pcs$0.29053

Osa numero:
PSMN0R9-25YLDX
Valmistaja:
Nexperia USA Inc.
Yksityiskohtainen kuvaus:
PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - JFET, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Zener - Single, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - IGBT - Yksittäiset and Diodit - sillan tasasuuntaajat ...
Kilpailuetu:
We specialize in Nexperia USA Inc. PSMN0R9-25YLDX electronic components. PSMN0R9-25YLDX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN0R9-25YLDX, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PSMN0R9-25YLDX Tuoteominaisuudet

Osa numero : PSMN0R9-25YLDX
Valmistaja : Nexperia USA Inc.
Kuvaus : PSMN0R9-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 25V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 300A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 0.85 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 89.8nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 6721pF @ 12V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 238W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : LFPAK56, Power-SO8
Paketti / asia : SC-100, SOT-669