Vishay Siliconix - SQM25N15-52_GE3

KEY Part #: K6418692

SQM25N15-52_GE3 Hinnoittelu (USD) [73379kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.53286

Osa numero:
SQM25N15-52_GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 150V 25A TO263.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen and Transistorit - FETit, MOSFETit - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SQM25N15-52_GE3 electronic components. SQM25N15-52_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQM25N15-52_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM25N15-52_GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SQM25N15-52_GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 150V 25A TO263
Sarja : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 150V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 25A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2360pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 107W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : TO-263 (D²Pak)
Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB