Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset
  5. 1N5415US

Microsemi Corporation - 1N5415US

KEY Part #: K6446427

[1769kpl varastossa]

    Osa numero:
    1N5415US
    Valmistaja:
    Microsemi Corporation
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    DIODE GEN PURP 50V 3A D5B.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - IGBT - moduulit and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Microsemi Corporation 1N5415US electronic components. 1N5415US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5415US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    1N5415US Tuoteominaisuudet

    Osa numero : 1N5415US
    Valmistaja : Microsemi Corporation
    Kuvaus : DIODE GEN PURP 50V 3A D5B
    Sarja : -
    Osan tila : Discontinued at Digi-Key
    Diodin tyyppi : Standard
    Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 50V
    Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 3A
    Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A
    Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Käänteinen palautumisaika (trr) : 150ns
    Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 1µA @ 50V
    Kapasitanssi @ Vr, F : -
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Paketti / asia : E-MELF
    Toimittajalaitteen paketti : D-5B
    Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

    Uusimmat uutiset

    Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
    Saatat myös olla kiinnostunut
    • MMBD1202

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

    • MMBD4148-D87Z

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT23.

    • VS-MBRD340PBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 40V 3A DPAK.

    • VS-50WQ03FNTRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ03FNPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30V 5.5A DPAK.

    • EGL34GHE3/98

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.

    Kuumat osat