1SS361LPH4-7B Hinnoittelu (USD) [1717880kpl varastossa]
- 1 pcs$0.02153
- 10,000 pcs$0.01945
- 30,000 pcs$0.01831
- 50,000 pcs$0.01716
- 100,000 pcs$0.01522
- Osa numero:
- 1SS361LPH4-7B
- Valmistaja:
- Diodes Incorporated
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN. Diodes - General Purpose, Power, Switching Switching Diode BVR VR 100V,X2-DFN1006-2
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - JFET, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - SCR-moduulit and Diodit - sillan tasasuuntaajat ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Diodes Incorporated 1SS361LPH4-7B electronic components. 1SS361LPH4-7B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1SS361LPH4-7B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1SS361LPH4-7B Tuoteominaisuudet
Osa numero :
1SS361LPH4-7B
Valmistaja :
Diodes Incorporated
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 80V 100MA 2DFN
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
80V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
100mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 100mA
Nopeus :
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Käänteinen palautumisaika (trr) :
4ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
500nA @ 80V
Kapasitanssi @ Vr, F :
3pF @ 0V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
0402 (1006 Metric)
Toimittajalaitteen paketti :
X2-DFN1006-2
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
C4D05120E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A
-
1N4150W-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
-
SE20FGHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB. Rectifiers 2A,400V ESD PROTECTION, SMF RECT
-
ES07B-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 1.2A DO219AB. Rectifiers 100 Volt 0.7A 25ns 30 Amp IFSM
-
BYM10-200-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB. Rectifiers 200 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM10-400-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Kuumat osat
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18