Microsemi Corporation - JANTX1N5804

KEY Part #: K6430705

JANTX1N5804 Hinnoittelu (USD) [11235kpl varastossa]

  • 1 pcs$4.92797
  • 100 pcs$4.90345

Osa numero:
JANTX1N5804
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes D MET 2.5A SFST 100V HR
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - sillan tasasuuntaajat and Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N5804 electronic components. JANTX1N5804 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N5804, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTX1N5804 Tuoteominaisuudet

Osa numero : JANTX1N5804
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL
Sarja : Military, MIL-PRF-19500/477
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 100V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 875mV @ 1A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 25ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 1µA @ 100V
Kapasitanssi @ Vr, F : 25pF @ 10V, 1MHz
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : A, Axial
Toimittajalaitteen paketti : -
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • SR10200-G

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 200V 10A TO220-3. Schottky Diodes & Rectifiers VR=200V, IO=10A

  • V10PM12HM3_A/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 120V 3.9A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 10A, 120V, SMPC, TRENCH SKY RECT.

  • AR4PKHM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 800V 1.8A TO277A. Rectifiers 4A,800V, SMPC,Fast Recovery, Avalanche

  • VS-4ESH02-M3/86A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A. Rectifiers Hypfst Rct 4A 200V

  • V10P45HM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers TMBS TO-277A 10A AEC-Q101 Qualified

  • AS4PKHM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 800V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A,800V, SMPC,STD, Avalanche SM