Vishay Siliconix - SIE808DF-T1-E3

KEY Part #: K6417882

SIE808DF-T1-E3 Hinnoittelu (USD) [44701kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.87908
  • 3,000 pcs$0.87470

Osa numero:
SIE808DF-T1-E3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - JFET, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SIE808DF-T1-E3 electronic components. SIE808DF-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIE808DF-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIE808DF-T1-E3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SIE808DF-T1-E3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 60A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 8800pF @ 10V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : 10-PolarPAK® (L)
Paketti / asia : 10-PolarPAK® (L)

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • IRFR3607TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 75V 56A DPAK.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.

  • IPA65R190E6XKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220.