Vishay Semiconductor Diodes Division - ES3GHE3_A/H

KEY Part #: K6442903

ES3GHE3_A/H Hinnoittelu (USD) [209688kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.17639
  • 1,700 pcs$0.13289

Osa numero:
ES3GHE3_A/H
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB. Rectifiers 400 Volt 3.0A 35ns Glass Passivated
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Transistorit - IGBT - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES3GHE3_A/H electronic components. ES3GHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES3GHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES3GHE3_A/H Tuoteominaisuudet

Osa numero : ES3GHE3_A/H
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 400V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 3A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 50ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 400V
Kapasitanssi @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AB, SMC
Toimittajalaitteen paketti : DO-214AB (SMC)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-8EWS16STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS16STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS16STRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS12STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS12STRLPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK.

  • VS-8EWS08STRRPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK.