Vishay Semiconductor Diodes Division - BA779-HG3-08

KEY Part #: K6464437

BA779-HG3-08 Hinnoittelu (USD) [1129485kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.03456
  • 3,000 pcs$0.03438
  • 6,000 pcs$0.03247
  • 15,000 pcs$0.02961
  • 30,000 pcs$0.02770
  • 75,000 pcs$0.02547

Osa numero:
BA779-HG3-08
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
RF DIODE PIN 30V SOT23-3. PIN Diodes 30V 50mA AUTO
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - erityistarkoitus and Transistorit - JFET ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BA779-HG3-08 electronic components. BA779-HG3-08 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BA779-HG3-08, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BA779-HG3-08 Tuoteominaisuudet

Osa numero : BA779-HG3-08
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : RF DIODE PIN 30V SOT23-3
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : PIN - Single
Jännite - Peak Reverse (Max) : 30V
Virta - maks : 50mA
Kapasitanssi @ Vr, F : 0.5pF @ 0V, 100MHz
Resistance @ If, F : 50 Ohm @ 1.5mA, 100MHz
Tehon hajautus (max) : -
Käyttölämpötila : 125°C (TJ)
Paketti / asia : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajalaitteen paketti : SOT-23-3