MBRAF360T3G Hinnoittelu (USD) [631090kpl varastossa]
- 1 pcs$0.05861
- 5,000 pcs$0.05847
- 10,000 pcs$0.05444
- 25,000 pcs$0.05376
- Osa numero:
- MBRAF360T3G
- Valmistaja:
- ON Semiconductor
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 60V 4A SMA. Schottky Diodes & Rectifiers 3 A, 60 V SCHOTTKY RECTIF
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF and Tiristorit - TRIACit ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in ON Semiconductor MBRAF360T3G electronic components. MBRAF360T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MBRAF360T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MBRAF360T3G Tuoteominaisuudet
Osa numero :
MBRAF360T3G
Valmistaja :
ON Semiconductor
Kuvaus :
DIODE SCHOTTKY 60V 4A SMA
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
60V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
4A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
630mV @ 3A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
3mA @ 60V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-221AC, SMA Flat Leads
Toimittajalaitteen paketti :
SMA-FL
Käyttölämpötila - liitos :
-65°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
MBRD6100CT-TP
Micro Commercial Co
6A100VSCHOTTKYDPAK PACKAGE. Schottky Diodes & Rectifiers 6A SCHOTTKY RECTIFIER
-
RHRD660S9A
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 600V 6A TO252-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 6A 600V HyperFast Diode
-
-
BYM10-600-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO213AB. Rectifiers 600 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
-
BYM11-1000-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB. Rectifiers 1000 Volt 1.0A 500ns Glass Passivated
-
RGL34A-E3/98
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM
Kuumat osat
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54