RBR3LAM30ATR Hinnoittelu (USD) [808518kpl varastossa]
- 1 pcs$0.05057
- 3,000 pcs$0.05032
- 6,000 pcs$0.04727
- 15,000 pcs$0.04422
- 30,000 pcs$0.04056
- Osa numero:
- RBR3LAM30ATR
- Valmistaja:
- Rohm Semiconductor
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDTM. Schottky Diodes & Rectifiers 30V Vr 3A Io Schottky Br Diode
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR: t, Diodit - Zener - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - JFET, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Tiristorit - TRIACit and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Rohm Semiconductor RBR3LAM30ATR electronic components. RBR3LAM30ATR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RBR3LAM30ATR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RBR3LAM30ATR Tuoteominaisuudet
Osa numero :
RBR3LAM30ATR
Valmistaja :
Rohm Semiconductor
Kuvaus :
DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDTM
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
30V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
580mV @ 3A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
50µA @ 30V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
SOD-128
Toimittajalaitteen paketti :
PMDTM
Käyttölämpötila - liitos :
150°C (Max)
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
BYM07-150HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5A,150V,50NS GL34 AEC-Q101 Qualified
-
BYM07-400-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated
-
EGL34G-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns
-
GL34B-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34G-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Rectifiers 400 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
-
GL34D-E3/83
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Rectifiers 200 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM
Kuumat osat
- S1J-TP
- S9147D
- SF10DG-B
- RGP10G-6038M3/73
- 1N4005-N-0-3-AP
- R7004203XXUA
- VS-1EFH02W-M3-18
- 1N3297R
- SS5P9HM3/86A
- UES2604
- EGP10AHM3/73
- EGP10A
- S4240F
- R9G20609CSOO
- 1N3909R
- 1N5622GP-E3/54
- SR502-T-F
- BYD13GGP-E3/73
- DGS17-03CS
- VF20100SG-E3/45
- SD103BW-13-F
- FESE16DT-E3/45
- JANTX1N6623
- MR756G
- RS2K-13
- 181NQ045R
- 50WQ10FN
- VS-11DQ04TR
- BAS21TA
- SS36HE3_A/I
- MBRS1100T3H
- BAT43-L0 A0G
- IDW30E60AFKSA1
- STPSC10H065G-TR
- RM 11CV
- NRVS3GB
- GP10JE-E3/73
- GL41J-E3/97
- BY206GP-E3/54
- LS101C-GS18