Rohm Semiconductor - RB088LAM-30TFTR

KEY Part #: K6457623

RB088LAM-30TFTR Hinnoittelu (USD) [591532kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.06253

Osa numero:
RB088LAM-30TFTR
Valmistaja:
Rohm Semiconductor
Yksityiskohtainen kuvaus:
AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD. Schottky Diodes & Rectifiers 30V VR 5A 0.69V VF PMDTM; SOD-128
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - IGBT - moduulit, Tiristorit - SCR: t, Tehonohjaimen moduulit and Transistorit - erityistarkoitus ...
Kilpailuetu:
We specialize in Rohm Semiconductor RB088LAM-30TFTR electronic components. RB088LAM-30TFTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RB088LAM-30TFTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RB088LAM-30TFTR Tuoteominaisuudet

Osa numero : RB088LAM-30TFTR
Valmistaja : Rohm Semiconductor
Kuvaus : AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD
Sarja : Automotive, AEC-Q101
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Schottky
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 30V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 5A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : -
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 2.5µA @ 30V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : SOD-128
Toimittajalaitteen paketti : PMDTM
Käyttölämpötila - liitos : 150°C (Max)

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BAS70-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23.

  • CMDSH05-4 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Low Vf Schottky 500mA If 250mW

  • GL41YHE3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34KHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM