Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset
  5. EM 2BV1

Sanken - EM 2BV1

KEY Part #: K6431135

EM 2BV1 Hinnoittelu (USD) [496133kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.07867
  • 8,000 pcs$0.07828
Osa numero:
EM 2BV1
Valmistaja:
Sanken
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - erityistarkoitus and Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot ...
Kilpailuetu:
We specialize in Sanken EM 2BV1 electronic components. EM 2BV1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EM 2BV1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EM 2BV1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : EM 2BV1
Valmistaja : Sanken
Kuvaus : DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 800V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1.2A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 920mV @ 1.2A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : -
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 10µA @ 800V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : Axial
Toimittajalaitteen paketti : -
Käyttölämpötila - liitos : -40°C ~ 150°C
Saatat myös olla kiinnostunut
  • SS1FN6HM3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO219AB. Schottky Diodes & Rectifiers 1A,60V,SMFSkty Rect AEC-Q101 Qualified

  • AU3PJHM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 600V 1.7A TO277A. Rectifiers 3A,600V, SMPC,FER, Avalanche SM

  • AS3PJHM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 600V 2.1A TO277A. Rectifiers 3A,600V, SMPC,STD, Avalanche SM

  • AU2PJHM3_A/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 600V 1.6A TO277A. Rectifiers 2A,600V, SMPC,FER, Avalanche SM

  • V15P10-M3/H

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 15A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 100V 15A Single Die SMPC (TO-277A)

  • AU3PD-M3/87A

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE AVALANCHE 200V 1.7A TO277A. Rectifiers 3A,200V,FER, Avalanche SM

Kuumat osat