Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset
  5. JANTXV1N5417

Microsemi Corporation - JANTXV1N5417

KEY Part #: K6428509

JANTXV1N5417 Hinnoittelu (USD) [7026kpl varastossa]

  • 1 pcs$5.86572
  • 10 pcs$5.33247
Osa numero:
JANTXV1N5417
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL. Diodes - General Purpose, Power, Switching Rectifier
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - RF, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot and Diodit - sillan tasasuuntaajat ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5417 electronic components. JANTXV1N5417 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5417, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5417 Tuoteominaisuudet

Osa numero : JANTXV1N5417
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL
Sarja : Military, MIL-PRF-19500/411
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 150ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 1µA @ 200V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : B, Axial
Toimittajalaitteen paketti : -
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Uusimmat uutiset

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Saatat myös olla kiinnostunut
  • CDSV-20-G

    Comchip Technology

    DIODE GEN PURP 150V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 150V 200mA 200mW

  • VSB2045Y-M3/73

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 6.5A P600. Schottky Diodes & Rectifiers 20A 45V .3V@5A TrenchMOS

  • VS-3EJH01HM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101

  • VSSAF5L45-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 3A DO221AC. Schottky Diodes & Rectifiers 5A,45V,TRENCH SKY RECT.

  • SE30PAJ-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3A, 600V, ESD PROTECTION, SMPA

  • VS-2EJH01-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rectfr

Kuumat osat