SE30PAG-M3/I Hinnoittelu (USD) [921392kpl varastossa]
- 1 pcs$0.04236
- 14,000 pcs$0.04215
- Osa numero:
- SE30PAG-M3/I
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 400V 3A DO221BC. Rectifiers 3A, 400V, ESD PROTECTION, SMPA
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Tehonohjaimen moduulit and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE30PAG-M3/I electronic components. SE30PAG-M3/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE30PAG-M3/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SE30PAG-M3/I Tuoteominaisuudet
Osa numero :
SE30PAG-M3/I
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 400V 3A DO221BC
Sarja :
eSMP®
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
400V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.16V @ 3A
Nopeus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
1.3µs
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
5µA @ 400V
Kapasitanssi @ Vr, F :
13pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Toimittajalaitteen paketti :
DO-221BC (SMPA)
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
CDSV-21-G
Comchip Technology
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 200mA 200mW
-
VS-2EJH01HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101
-
VS-2EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 200V Fred Pt Rectfr
-
S1AFJ-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 600V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT
-
S1AFG-M3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 400V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT
-
VS-3EJU06HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 3A DO221AC. Rectifiers 600V 3A FRED Pt AEC-Q101 Qualified
Kuumat osat
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR