RFN1LAM6STR Hinnoittelu (USD) [1067595kpl varastossa]
- 1 pcs$0.03830
- 3,000 pcs$0.03811
- 6,000 pcs$0.03430
- 15,000 pcs$0.03049
- 30,000 pcs$0.02858
- 75,000 pcs$0.02534
- Osa numero:
- RFN1LAM6STR
- Valmistaja:
- Rohm Semiconductor
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM. Diodes - General Purpose, Power, Switching 700V Vr 0.8A Io Fast Recovery Diode
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Transistorit - IGBT - Yksittäiset ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Rohm Semiconductor RFN1LAM6STR electronic components. RFN1LAM6STR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RFN1LAM6STR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RFN1LAM6STR Tuoteominaisuudet
Osa numero :
RFN1LAM6STR
Valmistaja :
Rohm Semiconductor
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 600V 800MA PMDTM
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
800mA
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.45V @ 800mA
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
35ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
1µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
SOD-128
Toimittajalaitteen paketti :
PMDTM
Käyttölämpötila - liitos :
150°C (Max)
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
C3D03060E
Cree/Wolfspeed
DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 3A
-
MMBD1401
ON Semiconductor
DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage General Purpose
-
-
BAS20
ON Semiconductor
DIODE GP 200V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 200mA 150V 50n s
-
-
Kuumat osat
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR