Vishay Semiconductor Diodes Division - BYG24J-E3/TR

KEY Part #: K6450699

BYG24J-E3/TR Hinnoittelu (USD) [414158kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.08931
  • 7,200 pcs$0.07045

Osa numero:
BYG24J-E3/TR
Valmistaja:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE AVALANCHE 600V 1.5A.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Arrays, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays and Diodit - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYG24J-E3/TR electronic components. BYG24J-E3/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYG24J-E3/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYG24J-E3/TR Tuoteominaisuudet

Osa numero : BYG24J-E3/TR
Valmistaja : Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus : DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Avalanche
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1.5A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 1.5A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 140ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 1µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : DO-214AC, SMA
Toimittajalaitteen paketti : DO-214AC (SMA)
Käyttölämpötila - liitos : -55°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • BAS20LT1

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23.

  • MA3XD1500L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A MINI3.

  • 60APU06

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AC.

  • MBR1645/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO220AB.

  • P600D/4

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 6A P600.

  • MBRB10H100/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO263AB.