Microsemi Corporation - JAN1N6630US

KEY Part #: K6449551

Yksityiskohtainen kuvaus:: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF. Rectifiers Rectifier

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tehonohjaimen moduulit, Diodit - Zener - Single, Transistorit - IGBT - Arrays, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - erityistarkoitus and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen ...

Kilpailuetu:: We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6630US electronic components. JAN1N6630US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6630US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : JAN1N6630US

Valmistaja : Microsemi Corporation

Kuvaus : DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Sarja : Military, MIL-PRF-19500/590

Osan tila : Active

Diodin tyyppi : Standard

Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 900V

Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1.4A

Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 1.4A

Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Käänteinen palautumisaika (trr) : 50ns

Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 2µA @ 900V

Kapasitanssi @ Vr, F : -

Asennustyyppi : Surface Mount

Paketti / asia : SQ-MELF, E

Toimittajalaitteen paketti : D-5B

Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 150°C

Saatat myös olla kiinnostunut

C4D08120E

Cree/Wolfspeed

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 7.5A
BAT 64 B5003

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
BAS 70 B5003

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.
BAT 54 B5003

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.
BAS 40 B5003

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
BAS 16 B5003

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3.

Kuumat osat