WeEn Semiconductors - BYV25FX-600,127

KEY Part #: K6445496

BYV25FX-600,127 Hinnoittelu (USD) [2087kpl varastossa]

  • 5,000 pcs$0.11773

Osa numero:
BYV25FX-600,127
Valmistaja:
WeEn Semiconductors
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F. Rectifiers PWR 600 V 5 A Diode
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Transistorit - JFET, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - IGBT - moduulit and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in WeEn Semiconductors BYV25FX-600,127 electronic components. BYV25FX-600,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYV25FX-600,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYV25FX-600,127 Tuoteominaisuudet

Osa numero : BYV25FX-600,127
Valmistaja : WeEn Semiconductors
Kuvaus : DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F
Sarja : -
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 5A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.9V @ 5A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 35ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 50µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Toimittajalaitteen paketti : TO-220FP
Käyttölämpötila - liitos : 150°C (Max)
Saatat myös olla kiinnostunut
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.