Infineon Technologies - IRF7353D1

KEY Part #: K6414945

[12579kpl varastossa]


    Osa numero:
    IRF7353D1
    Valmistaja:
    Infineon Technologies
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - JFET, Transistorit - IGBT - moduulit, Tiristorit - SCR-moduulit, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in Infineon Technologies IRF7353D1 electronic components. IRF7353D1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7353D1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7353D1 Tuoteominaisuudet

    Osa numero : IRF7353D1
    Valmistaja : Infineon Technologies
    Kuvaus : MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
    Sarja : FETKY™
    Osan tila : Obsolete
    FET-tyyppi : N-Channel
    tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
    Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
    Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 6.5A (Ta)
    Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 32 mOhm @ 5.8A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 650pF @ 25V
    FET-ominaisuus : Schottky Diode (Isolated)
    Tehon hajautus (max) : 2W (Ta)
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Surface Mount
    Toimittajalaitteen paketti : 8-SO
    Paketti / asia : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Saatat myös olla kiinnostunut
    • ZVN0545A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3.

    • 94-4007

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 35A DPAK.

    • IRLR3103

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.

    • 94-4762

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

    • IRFIZ24G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP.

    • IRFIZ34G

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP.