Osa numero :
IRF6619TR1PBF
Valmistaja :
Infineon Technologies
Kuvaus :
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
tekniikka :
MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) :
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C :
30A (Ta), 150A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
2.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.45V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
57nC @ 4.5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds :
5040pF @ 10V
Tehon hajautus (max) :
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Käyttölämpötila :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi :
Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti :
DIRECTFET™ MX
Paketti / asia :
DirectFET™ Isometric MX