Vishay Siliconix - SI8802DB-T2-E1

KEY Part #: K6416944

SI8802DB-T2-E1 Hinnoittelu (USD) [585532kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.06349
  • 3,000 pcs$0.06317

Osa numero:
SI8802DB-T2-E1
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - moduulit, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SI8802DB-T2-E1 electronic components. SI8802DB-T2-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8802DB-T2-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI8802DB-T2-E1 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SI8802DB-T2-E1
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 8V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : -
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 54 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 500mW (Ta)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : 4-Microfoot
Paketti / asia : 4-XFBGA

Saatat myös olla kiinnostunut
  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • IPA65R150CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220.