SE50PAJ-M3/I Hinnoittelu (USD) [477636kpl varastossa]
- 1 pcs$0.07744
- 3,500 pcs$0.07081
- 7,000 pcs$0.06624
- 10,500 pcs$0.06167
- 24,500 pcs$0.06091
- Osa numero:
- SE50PAJ-M3/I
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 1.6A DO221BC. Rectifiers 5A, 600V, ESD PROTECTION, SMPA
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Arrays, Diodit - Zener - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Tiristorit - DIAC, SIDAC and Transistorit - IGBT - Yksittäiset ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE50PAJ-M3/I electronic components. SE50PAJ-M3/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE50PAJ-M3/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SE50PAJ-M3/I Tuoteominaisuudet
Osa numero :
SE50PAJ-M3/I
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 600V 1.6A DO221BC
Sarja :
Automotive, AEC-Q101
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
1.6A (DC)
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
940mV @ 2.5A
Nopeus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
2µs
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
10µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F :
32pF @ 4V, 1MHz
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad
Toimittajalaitteen paketti :
DO-221BC (SMPA)
Käyttölämpötila - liitos :
-55°C ~ 175°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
CDSV-20-G
Comchip Technology
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching 150V 200mA 200mW
-
CDBV140-G
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=40V IO=1A
-
CDBV120-G
Comchip Technology
DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers VR=20V IO=1A
-
VS-3EJH02HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rfr AEC-Q101
-
VS-2EJH01HM3/6A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 100V 2A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 2A 100V Fred Pt Rfr AEC-Q101
-
VS-3EJH02-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 3A DO221AC. Rectifiers Hyperfst 3A 200V Fred Pt Rectfr
Kuumat osat
- MBR0520L_G
- SB540-B
- RL102-N-0-4-AP
- CR3F-060GPP BK
- CD0603-B0130
- 1N4006 BK
- 1N4936GP-M3/73
- AK 09
- FMY-1036S
- VS-VSKE270-20
- CD214B-B160LF
- CDBMTS230-HF
- CDBMT150-HF
- IDV05S60CXKSA1
- IDT05S60CHKSA1
- DSB5821
- SSA23LHE3/5AT
- GP10GHE3/73
- FFPF15UP20STTU
- FFD06UP20S
- CEFB104-G
- VS-8ETL06SPBF
- FR1A-13-F
- BYD37M,115
- 10ETF10S
- HER601-T
- FR302-T
- MBRS2040LT3H
- BY133-TP
- 1A5-TP
- GIB1402-E3/81
- SK86C R7G
- VS-15EVH06-M3/I
- UH4PCCHM3_A/H
- STTH3R02AFY
- 1N4947GP-E3/53
- U2D-M3/52T
- RBR3LAM30BTFTR
- RGP10JE-E3/54
- BYW27-200GP-E3/54