Nexperia USA Inc. - PMZB550UNEYL

KEY Part #: K6416378

PMZB550UNEYL Hinnoittelu (USD) [1488483kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.02497
  • 10,000 pcs$0.02485

Osa numero:
PMZB550UNEYL
Valmistaja:
Nexperia USA Inc.
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 30V SOT883.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Tiristorit - SCR-moduulit, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - RF, Transistorit - IGBT - Yksittäiset and Tiristorit - TRIACit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Nexperia USA Inc. PMZB550UNEYL electronic components. PMZB550UNEYL can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMZB550UNEYL, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

PMZB550UNEYL Tuoteominaisuudet

Osa numero : PMZB550UNEYL
Valmistaja : Nexperia USA Inc.
Kuvaus : MOSFET N-CH 30V SOT883
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 590mA (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 670 mOhm @ 590mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1.1nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 30.3pF @ 15V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 310mW (Ta), 1.67W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : DFN1006B-3
Paketti / asia : 3-XFDFN