VS-10ETS12STRR-M3 Hinnoittelu (USD) [105842kpl varastossa]
- 1 pcs$0.38983
- 800 pcs$0.38789
- Osa numero:
- VS-10ETS12STRR-M3
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK. Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Diodit - RF, Diodit - Zener - Single, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-10ETS12STRR-M3 electronic components. VS-10ETS12STRR-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-10ETS12STRR-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-10ETS12STRR-M3 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
VS-10ETS12STRR-M3
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A D2PAK
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
1200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
10A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 10A
Nopeus :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
-
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
50µA @ 1200V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajalaitteen paketti :
D2PAK
Käyttölämpötila - liitos :
-40°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
VS-8EWF12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK
-
VS-HFA04SD60STRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt
-
VS-HFA04SD60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWS16STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWF12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODES - D-PAK-E3. Rectifiers 8A If; 1200V Vr TO-252AA (DPAK)
Kuumat osat
- SBYV26C-5001M3/73
- EGP10DHM3/73
- CD0805-B140
- RC 2V1
- 1N648-1
- S42100F
- DSA26G
- CDBMT280-HF
- STPS20SM100SG-TR
- IDT04S60CHKSA1
- R5110410XXWA
- QRS1220T30
- R36100
- GUR460-E3/54
- 1N4948GP/54
- 1N4005GPHE3/54
- FGP50CHE3/73
- FGP10BHE3/73
- IDD09SG60CXTMA1
- S3580
- PR1001L-T
- VS-12TQ035STRRPBF
- BYT03-400RL
- 1N3070
- 1N4005GP
- DL4004-TP
- RS1G/1
- RS2GA-13
- 8EWF12STR
- VSKE320-20
- S25120
- IRD3909
- DL4935-13
- SR102-T
- SF12-AP
- FES16CT-E3/45
- ESH1PDHM3/84A
- RB060MM-40TR
- GL41GHE3/97
- RF081M2STR