Microsemi Corporation - JAN1N6076

KEY Part #: K6449579

JAN1N6076 Hinnoittelu (USD) [4394kpl varastossa]

  • 1 pcs$9.90511
  • 100 pcs$9.85583

Osa numero:
JAN1N6076
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL. ESD Suppressors / TVS Diodes MIL, QPL PART, 1.3A 50V ULTRAFAST RECT
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - erityistarkoitus, Transistorit - IGBT - Arrays, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N6076 electronic components. JAN1N6076 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N6076, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N6076 Tuoteominaisuudet

Osa numero : JAN1N6076
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL
Sarja : Military, MIL-PRF-19500/503
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 50V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 1.3A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.76V @ 18.8A
Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 30ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 5µA @ 50V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Through Hole
Paketti / asia : E, Axial
Toimittajalaitteen paketti : E-PAK
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 155°C

Saatat myös olla kiinnostunut
  • C4D08120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 7.5A

  • BAT 64 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • BAS 70 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3.

  • BAT 54 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS 40 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • BAS 16 B5003

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3.