Microsemi Corporation - 1N5416US

KEY Part #: K6440953

Perheluokat:: KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - ohjelmoitava Unijunction, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - TRIACit, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Diodit - Zener - Arrays ...

Kilpailuetu:: We specialize in Microsemi Corporation 1N5416US electronic components. 1N5416US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5416US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Osa numero : 1N5416US

Valmistaja : Microsemi Corporation

Kuvaus : DIODE GEN PURP 100V 3A D5B

Sarja : -

Osan tila : Active

Diodin tyyppi : Standard

Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 100V

Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 3A

Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.5V @ 9A

Nopeus : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Käänteinen palautumisaika (trr) : 150ns

Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 1µA @ 100V

Kapasitanssi @ Vr, F : -

Asennustyyppi : Surface Mount

Paketti / asia : E-MELF

Toimittajalaitteen paketti : D-5B

Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Saatat myös olla kiinnostunut

RURD420S9A_T

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.
VS-20ETF10PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP.
UHB10FT-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 300V 10A TO263AB.
VS-E4PU3006L-N3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AD. Rectifiers 600V 30A FRED Pt TO-247 LL 2L
SS24SHE3J_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AC.
SS23SHE3_A/I

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AC.

Kuumat osat