VS-10ETF06STRR-M3 Hinnoittelu (USD) [89664kpl varastossa]
- 1 pcs$0.46017
- 800 pcs$0.45788
- Osa numero:
- VS-10ETF06STRR-M3
- Valmistaja:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Yksityiskohtainen kuvaus:
- DIODE GEN PURP 600V 10A D2PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D2PAK-e3
- Valmistajan vakio läpimenoaika:
- Varastossa
- Kestoaika:
- Yksi vuosi
- Chip From:
- Hongkong
- RoHS:
- Maksutapa:
-
- Lähetyksen tapa:
- Perheluokat:
- KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Diodit - RF, Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Tiristorit - SCR: t, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Transistorit - JFET ...
- Kilpailuetu:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-10ETF06STRR-M3 electronic components. VS-10ETF06STRR-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-10ETF06STRR-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-10ETF06STRR-M3 Tuoteominaisuudet
Osa numero :
VS-10ETF06STRR-M3
Valmistaja :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kuvaus :
DIODE GEN PURP 600V 10A D2PAK
Sarja :
-
Osan tila :
Active
Diodin tyyppi :
Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) :
600V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) :
10A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If :
1.2V @ 10A
Nopeus :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) :
200ns
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr :
100µA @ 600V
Kapasitanssi @ Vr, F :
-
Asennustyyppi :
Surface Mount
Paketti / asia :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajalaitteen paketti :
D2PAK
Käyttölämpötila - liitos :
-40°C ~ 150°C
Uusimmat uutiset
Saatat myös olla kiinnostunut
-
VS-8EWS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK. Rectifiers Input Diodes - D-PAK
-
VS-HFA04SD60STRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A D-PAK. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4 Amp 600 Volt
-
VS-HFA04SD60SR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
-
VS-8EWS16STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.6KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWF12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODES - D-PAK-E3. Rectifiers 8A If; 1200V Vr TO-252AA (DPAK)
-
VS-8EWF04STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
Kuumat osat
- MBRB10H50HE3/45
- MBRB16H35-E3/81
- GP10KE-M3/73
- 1N4005-N-0-2-BP
- 1N4003 BK
- IRD3CH31DB6
- SS310HE-TP
- CLL914 BK
- JANTX1N6761UR-1
- GP10-4003E-M3/54
- EGP10F-M3/54
- VS-30WQ06FNTRLPBF
- UH1B-E3/61T
- MBRF7H60HE3/45
- RGP15DHE3/54
- RB420D-TP
- VS-90SQ045TR
- DGP20HE3/54
- 1N5622GP-E3/73
- U1GWJ49(TE12L,F)
- STTH3R04
- 2A02-T
- STTH10R04G
- FFPF04U150STU
- VS-20L15TPBF
- MBR2515L
- MBR845RL
- B280-13
- 60CPF10
- 40EPS08
- MA3X72100L
- MA2J11600L
- DL4001
- IDD15E60BUMA1
- 2A01-TP
- IDW30E60AFKSA1
- RGP02-14E-E3/73
- HS5M M6G
- GL41DHE3/97
- SE15PD-M3/85A