Toshiba Semiconductor and Storage - TK290P60Y,RQ

KEY Part #: K6402041

TK290P60Y,RQ Hinnoittelu (USD) [167001kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.24485
  • 2,000 pcs$0.24363

Osa numero:
TK290P60Y,RQ
Valmistaja:
Toshiba Semiconductor and Storage
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - Yksittäiset, Transistorit - FETit, MOSFETit - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Tasot, Transistorit - JFET, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij and Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays ...
Kilpailuetu:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK290P60Y,RQ electronic components. TK290P60Y,RQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK290P60Y,RQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK290P60Y,RQ Tuoteominaisuudet

Osa numero : TK290P60Y,RQ
Valmistaja : Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus : MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Sarja : DTMOSV
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 11.5A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 290 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 450µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 25nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 730pF @ 300V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 100W (Tc)
Käyttölämpötila : 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : DPAK
Paketti / asia : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Saatat myös olla kiinnostunut
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.