Diodes Incorporated - DMN3007LSSQ-13

KEY Part #: K6394155

DMN3007LSSQ-13 Hinnoittelu (USD) [308834kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.11977
  • 2,500 pcs$0.09860

Osa numero:
DMN3007LSSQ-13
Valmistaja:
Diodes Incorporated
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tehonohjaimen moduulit, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Diodit - RF, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - FETit, MOSFETit - Arrays, Tiristorit - DIAC, SIDAC and Tiristorit - SCR-moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Diodes Incorporated DMN3007LSSQ-13 electronic components. DMN3007LSSQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN3007LSSQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN3007LSSQ-13 Tuoteominaisuudet

Osa numero : DMN3007LSSQ-13
Valmistaja : Diodes Incorporated
Kuvaus : MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 16A (Ta)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 64.2nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2714pF @ 15V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 2.5W
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : 8-SO
Paketti / asia : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)