Vishay Siliconix - IRF634STRRPBF

KEY Part #: K6393026

IRF634STRRPBF Hinnoittelu (USD) [72688kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.53793
  • 800 pcs$0.50866

Osa numero:
IRF634STRRPBF
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Tiristorit - SCR: t, Tehonohjaimen moduulit, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - JFET, Tiristorit - DIAC, SIDAC and Diodit - RF ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix IRF634STRRPBF electronic components. IRF634STRRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF634STRRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF634STRRPBF Tuoteominaisuudet

Osa numero : IRF634STRRPBF
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 250V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 8.1A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 41nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 770pF @ 25V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : D2PAK
Paketti / asia : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Saatat myös olla kiinnostunut