Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Jos sijaintiasi ei ole luettelossa, valitse yksi seuraavista:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Koti
  2. Tuotteet
  3. Diskreetti puolijohdetuotteet
  4. Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset
  5. JANTXV1N5550US

Microsemi Corporation - JANTXV1N5550US

KEY Part #: K6432858

JANTXV1N5550US Hinnoittelu (USD) [4931kpl varastossa]

  • 1 pcs$8.82883
  • 100 pcs$8.78491
Osa numero:
JANTXV1N5550US
Valmistaja:
Microsemi Corporation
Yksityiskohtainen kuvaus:
DIODE GEN PURP 200V 5A D5B. ESD Suppressors / TVS Diodes MIL, QPL PART, 3A 200V STANDARD RECT - SQ END CAPS
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - IGBT - moduulit, Diodit - Zener - Single, Transistorit - erityistarkoitus, Tiristorit - TRIACit, Transistorit - JFET, Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - RF and Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - yksittäinen ...
Kilpailuetu:
We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N5550US electronic components. JANTXV1N5550US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N5550US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANTXV1N5550US Tuoteominaisuudet

Osa numero : JANTXV1N5550US
Valmistaja : Microsemi Corporation
Kuvaus : DIODE GEN PURP 200V 5A D5B
Sarja : Military, MIL-PRF-19500/420
Osan tila : Active
Diodin tyyppi : Standard
Jännite - DC-käänteinen (Vr) (maks.) : 200V
Nykyinen - keskiarvo korjattu (Io) : 5A
Jännite - eteenpäin (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 9A
Nopeus : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Käänteinen palautumisaika (trr) : 2µs
Nykyinen - Käänteinen vuoto @ Vr : 1µA @ 200V
Kapasitanssi @ Vr, F : -
Asennustyyppi : Surface Mount
Paketti / asia : SQ-MELF, B
Toimittajalaitteen paketti : D-5B
Käyttölämpötila - liitos : -65°C ~ 175°C

Uusimmat uutiset

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Saatat myös olla kiinnostunut
  • VS-50WQ06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-30WQ10FNTRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-MBRD320TR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 3A 20V DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-50WQ10FNTRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 100V 5.5A DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-MBRD330TRL-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 3A 30V DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

  • VS-MBRD330-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 3A 30V DPAK. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky - D-PAK-e3

Kuumat osat