Vishay Siliconix - SIA427DJ-T1-GE3

KEY Part #: K6418329

SIA427DJ-T1-GE3 Hinnoittelu (USD) [414489kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.08924
  • 3,000 pcs$0.08429

Osa numero:
SIA427DJ-T1-GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Diodit - Zener - Arrays, Tiristorit - SCR-moduulit, Transistorit - JFET, Diodit - sillan tasasuuntaajat, Tehonohjaimen moduulit, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - ohjelmoitava Unijunction and Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SIA427DJ-T1-GE3 electronic components. SIA427DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA427DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA427DJ-T1-GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SIA427DJ-T1-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET P-CH 8V 12A SC-70-6
Sarja : TrenchFET®
Osan tila : Active
FET-tyyppi : P-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 8V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 50nC @ 5V
Vgs (Max) : ±5V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 2300pF @ 4V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 3.5W (Ta), 19W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Surface Mount
Toimittajalaitteen paketti : PowerPAK® SC-70-6 Single
Paketti / asia : PowerPAK® SC-70-6

Saatat myös olla kiinnostunut
  • TK5A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 5.2A TO-220SIS.

  • SPA07N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP.

  • TK7A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS.

  • IPA65R310CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220.

  • IPA80R460CEXKSA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 800V TO-220-3.

  • TK40E10K3,S1X(S

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB.