Vishay Siliconix - SIHP14N50D-GE3

KEY Part #: K6392945

SIHP14N50D-GE3 Hinnoittelu (USD) [61718kpl varastossa]

  • 1 pcs$0.63669
  • 1,000 pcs$0.63353

Osa numero:
SIHP14N50D-GE3
Valmistaja:
Vishay Siliconix
Yksityiskohtainen kuvaus:
MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB.
Valmistajan vakio läpimenoaika:
Varastossa
Kestoaika:
Yksi vuosi
Chip From:
Hongkong
RoHS:
Maksutapa:
Lähetyksen tapa:
Perheluokat:
KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Transistorit - IGBT - Arrays, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - Single, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - erityistarkoitus, Diodit - RF, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var and Tehonohjaimen moduulit ...
Kilpailuetu:
We specialize in Vishay Siliconix SIHP14N50D-GE3 electronic components. SIHP14N50D-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHP14N50D-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHP14N50D-GE3 Tuoteominaisuudet

Osa numero : SIHP14N50D-GE3
Valmistaja : Vishay Siliconix
Kuvaus : MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB
Sarja : -
Osan tila : Active
FET-tyyppi : N-Channel
tekniikka : MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännitteeseen (Vdss) : 500V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C : 14A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (maksimi Rds päällä, min. Rds päällä) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 58nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Syöttökapasiteetti (Ciss) (Max) @ Vds : 1144pF @ 100V
FET-ominaisuus : -
Tehon hajautus (max) : 208W (Tc)
Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi : Through Hole
Toimittajalaitteen paketti : TO-220AB
Paketti / asia : TO-220-3

Saatat myös olla kiinnostunut