ON Semiconductor - NGTB30N120IHSWG

KEY Part #: K6423637

[9585kpl varastossa]


    Osa numero:
    NGTB30N120IHSWG
    Valmistaja:
    ON Semiconductor
    Yksityiskohtainen kuvaus:
    IGBT 1200V 30A TO247.
    Valmistajan vakio läpimenoaika:
    Varastossa
    Kestoaika:
    Yksi vuosi
    Chip From:
    Hongkong
    RoHS:
    Maksutapa:
    Lähetyksen tapa:
    Perheluokat:
    KEY Components Co., LTD on elektronisten komponenttien jakelija, joka tarjoaa tuoteluokkia, mukaan lukien: Transistorit - FETit, MOSFETit - RF, Diodit - Tasasuuntaajat - Yksittäiset, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - ariat, esij, Transistorit - kaksisuuntainen (BJT) - levyt, Diodit - vaihtelevat kapasitanssi (varikapsit, var, Tiristorit - DIAC, SIDAC, Tiristorit - SCR: t and Transistorit - JFET ...
    Kilpailuetu:
    We specialize in ON Semiconductor NGTB30N120IHSWG electronic components. NGTB30N120IHSWG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NGTB30N120IHSWG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NGTB30N120IHSWG Tuoteominaisuudet

    Osa numero : NGTB30N120IHSWG
    Valmistaja : ON Semiconductor
    Kuvaus : IGBT 1200V 30A TO247
    Sarja : -
    Osan tila : Obsolete
    IGBT-tyyppi : Trench Field Stop
    Jännite - keräilijän jakajan jakauma (max) : 1200V
    Nykyinen - keräilijä (Ic) (max) : 60A
    Nykyinen - keräilijän pulssi (Icm) : 200A
    Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic : 2.4V @ 15V, 30A
    Teho - Max : 192W
    Energian vaihtaminen : 1mJ (off)
    Syötteen tyyppi : Standard
    Gate Charge : 220nC
    Td (päälle / pois) @ 25 ° C : -/210ns
    Testiolosuhteet : 600V, 30A, 10 Ohm, 15V
    Käänteinen palautumisaika (trr) : -
    Käyttölämpötila : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Asennustyyppi : Through Hole
    Paketti / asia : TO-247-3
    Toimittajalaitteen paketti : TO-247